RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
28
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3314
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link