RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2737
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link