RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2565
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link