RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
90
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
90
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1743
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link