RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2696
2824
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link