RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
64
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1260
2978
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link