RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
23.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
18.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1647
4114
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link