RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
58
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2912
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link