RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
58
Rund um -205% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
16.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3444
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link