RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2384
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP512S64BP8-C4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link