RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
58
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3052
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link