RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3394
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link