RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
58
Rund um -190% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3632
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link