RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3098
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link