RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
58
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3098
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link