RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
17.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3762
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link