Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 58
    Rund um -142% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 2,107.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,025.3 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,107.0 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    670 left arrow 2821
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche