RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
58
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2821
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link