RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
58
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
5.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
1967
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link