RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2157
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link