RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
58
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2591
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link