RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
58
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2427
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link