RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
58
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2470
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link