RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
58
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2055
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link