RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2853
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link