RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
58
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3351
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB RAM-Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link