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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
5.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2245
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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