Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Gesamtnote
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 37
    Rund um 8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.2 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 5.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.2 left arrow 8.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 5.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2245 left arrow 1967
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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