RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
51
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2570
2589
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link