RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
51
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3006
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link