RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
60
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Crucial Technology RM25664AA800.16FH 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link