RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3232
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link