RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2394
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link