RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2817
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link