RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3592
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link