RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3412
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link