RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3337
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link