RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3103
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link