RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2761
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link