RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2576
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link