RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
65
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1824
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link