RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
65
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1824
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link