RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2290
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link