RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2589
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link