RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2968
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link