RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
52
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2182
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link