RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
68
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1924
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link