RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3231
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link