RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2975
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link