RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3212
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link