RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2337
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link