RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
64
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2197
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link