RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2196
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link